Abstract
本論文主要研究用氬離子及氬離子中加有氫離子，所濺鍍之矽非晶形半導體，對於紅外線吸收光譜及可見光和紫外光的不同吸收情形；另外并研究其間導電性對溫度變化的不同性。由實驗中發現：(1) 只用氬離子所鍍之非晶形矽在大部分紅外線區域內，均有很高的穿透率，只有在頻率為1150 cm 到600 cm 間有很強的吸收帶; 而含有氫離子所鍍之非晶形矽, 在頻率為2100 cm 、860 cm 和640 cm 處均有很強的吸收光譜，當加熱到400?450℃時，在2100 cm 處的吸收光譜將慢慢消失,而在1000 cm 到600 cm 之間的吸收情形則變化很小, 直到T 為700℃ 時才有顯著的變化。(2) 由可見光及紫外光的吸收情形發現含有氫的吸收系數比不含有氫的要來得小，且其光學吸收能隙亦較大，為1.82 ev 及1.7 ev。(3) 另外由導電率所知的熱活化能與濺鍍時的電壓及氫的含量均有很大的關系。由上面三種資料，我們想像這些變化乃由於氫原子的加入及懸浮鍵(dangling bonds)的多寡所造成。