Abstract
由於光的不受電磁波干擾特性，所以採用光學原理來製作感 測器。利 用Mach-Zehnder干涉儀的原理，加溫使干涉儀其中 一條路徑的折射率 產生改變，另一條當作參考，藉由量測干涉 儀輸出端光強度的變化來偵 測溫度的改變。波導材料的種類繁 多，我們採用Si基板為主的製程。對 於傳導層的材質，我們 選取氮氧化矽，其材料特性分析有：折射率的 分析、XPS之組 成分析、紅外線吸收光譜的探討以及這些特性與PECVD沈 積參 數的關係。根據這樣的特性，我們決定所要的製程條件，最後 在 介紹元件製作的結果。 The integrated optical sensor is fabricated on a Si substrate with a thermal oxide as the buffer layer, a PECVD SiON as the guiding layer, and a SiOx stripas the wave confining cap layer . Since SiON layer is the most important layer in the device, we have studied the deposition technology and characterized the physical and optical properties of the deposited film . SiON films suitable for integrated optical sensor were obtained .