Abstract
將V－７９A細胞同期化後，在分裂期（mitosis），DNA合成前準備期（Ｇ1phase）以及DNA合成後期（ＳL phase）三期用６戈雷（Gray）加馬射線照射。經過９天約２０個世代的培養後，觀察殘存細胞內遺傳物質DNA ，受傷害的情形，包括染色體變異與基因突變。三組殘存細胞被定名為Ｍ組殘存細胞，Ｇ1 組殘存細胞以及ＳL 組殘存細胞。比較殘存細胞與對照組細胞的輻射敏感度，可推測遺傳物質被傷害的情形。觀察三組殘存細胞在Ｇ1 期對加馬射線的輻射敏感度，發現Ｍ組殘存細胞的輻射敏感度與對照組細胞相當，而ＳL 組與Ｇ1 組殘存細胞有相似的輻射敏感度，且兩者皆顯著地較對照組為低。用金沙氏色帶染色法測定三組殘存細胞染色體變異發生的情形，發現Ｍ組與ＳL 組殘存細胞發生染色體變異皂頻率較高，而ＳL 組殘存細胞的發生頻率則顯著地較Ｍ組與Ｇ1 組為低。影響殘存細胞對君馬射線敏感度的基因突變與染色體變異將被討論。另外，研究含有染色體變異的細胞，可推測細胞所能忍受染色體變異的最大限度。