Abstract
為得到高品質硒化鋅單晶須減少晶體內雜質含量,本實驗藉由物理氣相傳 輸方法(PVT)來純化硒化鋅原料,所獲得之不同純化次數硒化鋅原料,再利 用物理氣相傳輸方法進行長晶, 由本實驗結果, 對硒化鋅 ( 原料: YAMANAKA硒化鋅)其長晶條件在:長晶爐傳動速度在0.91至1.61 mm/day之 間,長晶溫度1035度(攝氏),石英尖管在20至30度之間,皆能長出硒化鋅單 晶。長出之硒化鋅單晶,經由光激發螢光頻譜(Photoluminescence)量測及 藉由ICP-MASS和SEM-EDX對殘餘硒化鋅原料做成份分析,判斷可能存在於晶 體內雜質有Na,Al,Cu,至於Li則不確定是否存在,而經純化處理後則能有效 去除這些雜質,且隨著純化次數增加,存在於硒化鋅單晶內雜質含越少,即 可獲得高品質硒化鋅單晶。此外在不同溫度下,量測硒化鋅單晶之能帶間 隙(Eg),實驗結果能帶間隙(Eg),在7.5K時為2.824eV,而在300K時為2.641 eV,即Eg下降0.183eV。當加入百分之一鎘(Cd)到硒化鋅後由PVT法長出之 ZnCdSe單晶,在7.5 K時為2.8096eV,即Eg下降0.014eV。