Abstract
本論文說明晶體結晶面與晶體表面以及投影平面之間的關係，文中將結晶面與晶體表面所形成的交線痕跡定名為「線跡」，並由此發展出一套計算晶體方向指標的新方法，稱之為線跡分析法；晶體方向指標是以數值方法求解同族晶面線跡間夾角所對應的非線性聯立方程式而得到。本論文解決線跡分析法實用上的兩項問題：一是由同族晶面線跡間夾角之大小關係定出線跡所對應結晶面的指標；二是應用數值方法克服求解的困難。由於立方晶體的對稱性，使得{001}或{111}各面之線跡夾角間分別有著一定的大小關係，可由此定義出線跡所對應晶面的指標，因此得以不必經由嘗試錯誤的過程而直接由數值方法求解定出晶體方向。因為在理論上發現晶體表面的指標除了可直接由線跡的形狀而決定外，亦可由參考面法線在表面上的投影向量而得到，而且此關係不因透視投影而改變，故本論文應用此原理於分析立體投影圖、晶體表面線跡及解析勞厄圖形，並提出三種新的決定晶體方向的新方法與技術，分別是：(１)以滑移線來決定晶體方向；(２)以線跡分析法解析勞厄圖形；(３)利用波長調變勞厄法決定晶體高對稱方向。因此，線跡分析法不僅限於分析晶體表面的痕跡，而且可與各種不同的定向方法及技術相結合。線跡分析法的特性是：(１)精確度不受外在幾何參數與圖形比例影響；(２)角度間可以自我驗證；(３)只要量測三個角度就可以決定出晶體外在的座標系統；(４)由於線跡間夾角隨著晶體方向的改變呈現連續而和緩的變化，所以線跡分析法是一種穩定且可靠的方法。