Abstract
Cu╱Si, Ni╱Si和Ti╱Si利用高電流離子撞擊經由拉塞福後向散射實驗分析, 發現金屬與矽界面會有互流現象。金屬的厚度在400 到600, 離子撣撣擊能量為200Kev,175KeV和150KeV。實驗結果證明了矽原子經過高電流離子撞擊之後將跑到金屬表面。形成矽化合物, 並且矽化合物的厚度與離子撞擊的能量, dose有關。低電流與高電流的不同處是每單位面積的Power 不一樣, 這其間的技術是離子掃描面積不一樣, 並可以較其結果。
- Title
- 由於高電流離子撞擊造成金屬與矽界面互流
- Translated title
- 由於高電流離子撞擊造成金屬與矽界面互流
- Creators
- 林明輝 (Author)
- Contributors
- 楊銀圳 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English