Abstract
半導體製程技術的進步，使得電子元件能往深次微米或更小的尺度發展，但當半導體材料的尺度變的更小時 (≦數百埃) ，半導體性將消失並過渡到金屬性，要突破微小尺度的極限就只能利用自旋電子或磁電子了。 巨磁阻效應首先是由Baibich 24 等人於1988年所發現，於低溫下Fe/Cr/Fe多層膜電阻電阻隨外加磁場的增加變化達100%，引起許多研究者的注意，因為巨磁阻效應的發現使得更高靈敏度的讀取頭（read head），及高密度的磁記憶體可能問世。 本實驗嘗試以自製的直流濺鍍設備，在矽晶片上製作Co/Cu/Co金屬多層薄膜﹐並量測(Co)與銅(Cu)兩種材料的電性、物性以及表面結構，以期能充分的瞭解我們以濺鍍系統所成長的Co和Cu薄膜的特性。由於濺鍍薄膜大部份為非晶狀態(amophous) ，因此我們尚不能研究超晶格之巨磁阻現象，僅能作多層磁性金屬薄膜之結構及物性量測。