Abstract
本論文在發展即時單波長相位調變式橢圓儀，以應用在ICP電漿蝕刻機台蝕刻高介電係數材料二氧化鉿 (HfO2) 之製程監控。研究上並使用數位訊號擷取處理的方法（12 bit DAQ card）與Lock-in amplifier 所取得的訊號分析結果作比較。對於厚膜 (數千埃) 的量測，使用DAQ系統則靈敏度較Lock-in amplifier高，有較準確之結果。但對薄膜(100埃以下)，則DAQ系統取得之DC值與Lock-in amplifier有所差異，但對只使用橢圓參數 delta來推算厚度並不會有太大的影響。這是因為在量測100埃以下的薄膜時，實驗發現橢圓參數Psi不易準確量得，但delta則可準確量得，且可僅使用delta □準確算出膜厚。因此我們成功的建立橢圓儀量測系統應用在HfO2 的蝕刻製程監控上，可以即時監控膜厚以及蝕刻率的變化。