Abstract
由於電解液和半導體的接面電位，因照光而變化，其變化量與光的吸收係數有關，利用這關係可求出半導體的擴散長度，這個方法快速而非破壞性，而且半導體的擴散長度是一個很重要的參數，於是我們建立一套光學系統來測量它。我們測量了砷化，及矽兩種材料，觀察到砷化的擴散長度在雜質濃度高過十的十八次方＊每立方釐米時，明確的變小，也發現它在試片表面的分佈和試片的雜質分佈呈反比關係。矽的測量並未帶來精確的結果，我們從系統的特性和限制來解釋這個原因。文中探討系統的原理，結構和操作流程，也提到以個人電腦自動取值的優點以及如何在系統的結構和電解液的選擇上，達到非破壞的目的。最後檢討目前的缺點，以及未來改進的方向。