Abstract
TSV(Through-Silicon-Via)，中譯為直通矽晶穿孔，被視為是一個能夠實作三維度晶片(Three Dimensional Chip)，且有效解決global interconnection問題的一個方法。但是實際上TSV本身也是佔有面積的，若使用了過量的TSV可能會帶來反效果而使得繞線長增加。本篇研究中，將探討TSV有面積的前提下，TSV的使用數量與總繞線長(Total wirelength)的關係。
- Title
- 直通矽晶穿孔數量與總繞線長的關係分析
- Translated title
- 直通矽晶穿孔數量與總繞線長的關係分析
- Creators
- 陳信皓
- Contributors
- 黃婷婷 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 資訊工程學系; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 資訊工程學系
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2010