Abstract
ln-Sb-Te三元合金薄膜，以modifide flash deposition 法，已蒸鍍成功。有關此蒸鍍性亦在論文中加以討論。剛鍍好的薄膜被發現是非晶質與結晶相二者共存的結構。薄膜的均質化可在低溫125℃ 的熱處理狀況下達成。最好的熱處理情況是在145至225℃的二階段退火。各種不同剛鍍好的膜與退火過的膜藉著 X光繞射儀與穿透式電子顯微鏡, 二種儀器來分析其特性。同時也使用AES 來分析鍍層原子的深度分佈特性。一種三元化合物 ，根據過去報導它在低於 420℃的溫度下是不穩定的會分解成InSb與InTe，然而谷卻首次在溫度低於 250℃被生成，此生成特性、退火效果以及在低溫的穩定性均將加以詳細討論。同時，也討論可能的生成機構。二元化合物 與 的生成也加以檢視。 化合物乃是經由剛鍍好的 膜，一定要藉著二階段退火才會形成。然而，對於 化合物從剛鍍好的 膜形成而言，卻不需二階段退火。 化合物的生成反應也作了說明。介穩相 在 化合物生成過程中是關鍵物質。 與化合物，二者的光學常數藉橢圓偏光儀來加以測量。利用波長 6238A°的染料雷射脈衝可使 膜產生非晶質化。雷射所幅射區域藉傳統 TEM與具有 10A°小探針的 STEM來詳細觀察和描述。經過 19mW、300ns的雷射脈衝照射后，在膜表面1.5 微米平方的區域發現是非晶質的，此乃是要使膜非晶質化所需最短的雷射持續時間。當使用19mW, 且續時間長於 1us的雷射脈衝照射后產生如“火山口”的坑洞. 然而在這些洞的中心, 發現具有非晶質與島嶼狀結構的殘留物。同時，經由EDAX，發現殘留物與膜有相同成分。在脈衝雷射幅射薄膜實驗中，首次觀察到交替性的帶狀結構。位於脈衝雷射所產生的洞邊緣的帶狀結構是以結晶與非晶質區域交替地出現。此種帶狀結構的生成被認為是歸因於脈衝雷射幅射后熱流的結果。對 與 膜作了靜態讀寫擦測試。脈衝雷射束對膜的熱效應，例如非晶質化、融化、再結晶與控洞等現象，均與脈衝束的功率持續時間有關。也對 膜作了寫擦循環測試。書寫脈衝是 15mW、500ns，而擦試脈衝則是 8mW、10uS. 過經 100次循環后，發現在記憶狀態與擦拭狀態間反射率差異 8%。