Abstract
本篇論文是針對真實空間轉換元件的研製與元件在高頻下的應用作一研究 ，我們是異質接面GaAs/AlGaAs/GaAs製作的磊晶結構，真實空間轉換( real space transfer)這個名辭可追溯到1979年Hess作品中，提出電子在 平行異質磊晶層中某層加以電場時電子被加速後可經由熱發射( thermionic emission)將有一部分電子由移動率較高的磊晶層移動到移動 率較小的層中，由此可發現一種負微分電阻(NDR)的電特性，他們稱這種 效應為真時空間轉換，真實空間轉換元件的操作原理是一較大能帶隙分隔 的兩導電層間的載子轉換過程，它有三端:包括源極(source)，汲極( drain)和集極(collector)，集極端有電荷注入效果可以用來做微波放大 電晶體，我們以ｈｐ８５１０網路分析儀量測元件的Ｓ參數及分析其應用 在高頻下的可能性，同時我們也有進行接觸墊層寄生電容的粹取，希望獲 取元件真正的Ｓ參數，我們的元件在負電阻模式下可用來做震盪器，它的 可能震盪截止頻率室溫量到約１．７ＧＨｚ左又，在２１８Ｋ下可到２． ５ＧＨｚ，但在電荷注入模式只能操作到數百ＭＨｚ，最後我們亦成功研 製了倍頻器的應用．