Abstract
真實空間轉換元件是基於熱電子在不同材料層間傳輸之原理所製成之元件，其糙作方式包括負電阻場效電晶體(NERFET)和載子注入電晶體(CHENTs)。雖然真實空間轉換元件已被發展多年，但在以砷化鎵為基底之元件上，其漏電流偏高導致其應用受到一些限制。有鑑於此，我們在通道電子的導通不再藉由集極電壓。並且以超晶格結構代替原有真實空間轉換元件中之位能障礙層，利用抄經格結構所產生的迷你能帶(miniband)，成為真實空間轉換元件中熱電子於真實空間轉極之通道，同時亦可避免東量空間轉移效應。在本實驗中，我們製作了不同摻雜通道濃度元件，並分析了其在電性上的差異。包括了位障高度、一般電流－電壓的差異等。實驗的結果顯示雖然輕通道摻雜元件的位障層阻絕效果沒有無通道摻雜元件的好，但其電荷注入效果較佳，故可以應用在電荷注入式電晶體的模式上。第二項實驗面，也製作了超晶格結構的真實空間轉換元件，並作了電性上的量測、分析。實驗結果顯示，超晶格結構元件的漏電流過大，實其應用受到了很大的限制。