Abstract
利用熱屏蒸鍍法而沈積在鍺基片的硒化鋅其晶體結構光學及電氣性質被系統化的研 究一個近似沈積率模型被用以解釋實驗結果，沈積薄膜之物理性質與基片溫度有密 切關係，而且可用〞源率控制〞及表面擴散極限二種機構來解釋。 在基片溫度低於 250 ℃的區域，薄膜是多晶型而且其有較高的折射係數， 在基片 溫度大於 300 ℃的區域其結構是單晶型，而且其折射率接近單晶的硒化鋅， 由於 硒化鋅自我補償的效應，沈積薄膜的電阻係數極大（大於 10 □Ω－ cm ）但是將 鋁擴散入沈積薄膜，其電阻係數至 0.12 Ω－ cm。 #2811278 #2811278