Abstract
在本實驗中，我們由乾淨之矽(111)樣品，通入裂解後的氨氣，經過高溫下之反應，而成功地觀察到部份氮化之結構以及氮化矽之8×8結構。 在部份氮化方面，我們藉由不同的氮化溫度而歸納出兩種不同表面特性之氮化表面。在氮化矽之8×8結構方面，藉由高解析度的超高真空STM影像，我們觀察到氮化矽之表面週期性結構，為8×8及8/3×8/3兩種結構，經由我們的量測，其結構均符合過去在LEED研究上所看到圖形之週期性【單位為單晶矽(111)-(1×1)之晶格常數】，在此直接證實了氮化矽單晶之8×8及8/3×8/3結構。在本論文之最後，我們更經由所得到的小範圍高解析度之影像而將所見之氮化矽8單晶結構提出一個解釋。 此外，在本實驗中並得到其它相關的STM影像中，諸如8×8氮化矽島狀成核的行為、氮化矽8×8台階之高度、矽7×7結構及氮化矽8×8結構之共存影像………等，這些結果對於瞭解矽氮化機制之研究都是一項很大的幫助。