Abstract
本論文的目的是想了解不同接觸面積的周邊漏電流密度JRP隨著不同擴散 障礙層厚度的變化。首先以sputtering及CVD的方法鍍Ti薄膜，經過650℃ 、30秒的RTA生成矽化鈦，藉由XRD和片電阻來了解TiSi2的性質。其次， 在各種不同面積的淺接面上，利用ITS技術，先鍍上一層Ti，經過第一步 低溫RTA快速生溫退火形成C49-TiSi2，然後進行As＋離子佈植，接著第二 步RTA快速生溫退火一步驟同時活化離子與生成C54-TiSi2。配合不同厚度 的TiN為擴散障礙層，量測5V反向偏壓下的漏電流。SIMS二次離子質譜儀 分析以不同能量植入的離子，經過RTA快速生溫退火後，在TiSi2薄膜內的 縱深變化情形。SEM掃描式電子顯微鏡觀察接面深度。我們發現，在200 、300、400A三種不同厚度LPCVD TiN中，TiN的厚度越薄，JRP也隨之越小 。而同一種厚度的TiN，大面積接觸洞的JRP也比小面積的小。此外，以 SEM掃描式電子顯微鏡觀察的結果，樣品的接面深度約為0.08um。 With self-aligned silicide process,p-n junctions with differentcontact areas were made in this work.The minimum contact area was0.8um x 0.8um.This work investigates how the peripheral leakagecurrents of different contact areas changes as the thickness of diffusion barrier TiN changes. The results show that the peripheral leakage currents becomes smaller as TiN is thinner.And with the same thickness of TiN,The peripheral leakage currents of larger contacts is smaller than those of smaller ones.Junction depth of the p-n junction madeis around 0.08um.