Abstract
本篇論文，主要探討利用電子束蒸鍍法，在不同的基底溫度下蒸鍍鉑（室溫３００℃、４１０℃），並以不同的溫度及時間在氮爐中進行回火，形成矽鉑化物。沈積鉑３００°Ａ時並在不同溫度下回火２０分鐘，我們發現電阻變化很明顯這是由於，在稍高溫時，鉑擴散至矽內所引起的但當厚度增至１０００°Ａ時，因為大部分之鉑尚未反應，故電阻變化並不明顯，但至高溫時，尚未反應之鉑，會產生晶界，故電阻亦昇高。矽鉑化物之結晶好壞，可以決於其蒸鍍時之基底溫度和蒸鍍後之回火時間及溫度，當蒸鍍時基底加溫至３００℃，其基低介面處會先形成多鉑矽化物，做為回火時之結晶取向，若回火時間過久，則其介面處會產生嚴重之互擴散，而使結晶性產生變化。至於其組成，我們可由Auger 探測儀得知。至於回火不足或回火過久則因矽化鉑之晶格變化和互擴散作用，其和矽接面處會產生陷阱或雜質階，當其濃度增至一定數目時，其複合電流就會明顯增加，因此其理想因數會多至影響，其能障高度亦因而產生計算上之差異。至於能障高度和逆向電流成反方向增加，可由雜訊頻譜看出。紅外線對鉑膜３０°Ａ具有較大之吸收率，而２０°Ａ和１５０°Ａ則因太薄而產生不連續膜層及太厚產生反射作用，故其吸收率均不高。