Abstract
大部份的金屬矽化物皆具有良好的導電性，相當適合於大型積體電路上的應力，而除電性的考慮外，必須考慮到其氧化性及氧化後的穩定性，本研究的主要目的即在於探討此一問題。利用橢測厚儀柔穿透式電子顯微鏡的偵測，來瞭解其氧化速率的快慢及反應後其磊晶的結構之變化。從結果中得知，氧化物的厚度與氧化時間的平方根成正比，且在濕氧氣氛中的速率遠比在乾氧中的反應速率快，也比矽單晶的氧化速率快多，另外，此氧化速率的快慢與其方向性並沒有關係，這表示了此矽化物的氧化反應完全為為的擴散所控制。從穿透式電子顯微鏡的觀察與分析，發現矽化物的磊晶結構會夾雜著一些 、矽、氧的化合物而存在，而其縱剖面的觀察也發現在介面間的結構也有變化（從剖面也可測芔二氧化矽的厚度，其結果與橢圓測厚儀相差不大），電性的測量也顯示了此矽化物的變化，而且隨氧化的溫度升高，時間的加長而變化更大。