Abstract
矽半導體為提昇其電路密度而達到更高層次的系統整合，速度更快，消耗功率較低且良率亦高的目的，主要透過電路元件結構的改變，使用新材料及縮小元件來達成。為了達成上述目地，以前所使用嘗試錯誤工程實驗方式已不敷應用於現代一般半導體工程之研究發展，現在使用實驗設計及較易為眾人所忽略的統計、物性、化性及化學品之分技術層次，也逐漸地受到重視，因此工程人員能迅速獲取正確的分析結果，及時修改製程參數可節省相當多不必要的"摸索期"，本論文主要針對上面所提實驗設計及物化性分析分為五章。 1.精密分析儀器在超大型積體電路之應用 2.超大型積體電路中製備Al-Si-Cu金屬層最佳條件的研究實驗設計及回歸分析的應用 Analytica Chimica Acta, 267 (1992) 111-120 3.回火溫度製程對濺鍍Al-Si-Cu微結構的影響 Journal of Applied Physics. 74(6), 15September (1993) 3890-3898. 4.Al-Si-Cu製程中濺鍍溫度對微結構的影響 3rd International Symposium on Structural & FunctionalGradient Material Lausanne Swiss 1994. 5.TXRF在超大型積體電路應用電子發展月刊174(1992)19-23 首先第一章針對各種物化性精密分析在半導體製程運用於原物料品管，製程條件調整，半成品分析及成品分析，第二章是利用統計中實驗計畫法及回歸分析找出Al-Si-Cu濺鍍在Si、BPSG及 TiW 基材上最佳條件尋找，第三章是研究回火溫度昇高相對片阻值昇高之原因，利用物化性儀器觀察不同回火溫度之微結構變化，第四章是研究濺鍍溫度昇高相對片阻值昇高之原因，前面 1-4章主要在Out-Line分析研究，而第五章使用TXRF可以On-Line分析矽半導體之製程提供改善方案。Study of Si semiconductor device manufacture process and chemical analysis