Abstract
在本論文中，完成的半導體在二氟化硼離子佈植後利用閃光燈退火對植入雜質離子 之重新分佈和電性分析。同時討論了「熔解模型」，並分別求出熔解起始能量密度 ，固液界面速度和再結晶速度等。片電阻和電流－電壓特性的量測確定了退火效用 。光學顯微鏡照片和電子顯微鏡的繞射圖形也顯示出閃光退火確實能夠除去由離子 植入後所造成的損傷。 #2810870
- Title
- 矽半導體在二氟化硼離子佈植後利用閃光燈作退火之研究
- Translated title
- 矽半導體在二氟化硼離子佈植後利用閃光燈作退火之研究
- Creators
- 趙振中 (Author)
- Contributors
- 呂助增 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English