Abstract
本實驗利用矽在KOH溶液中的非等向蝕刻特性，以體細微加工技術（Bulk Micromachining Technology）在n-type矽晶圓上製作隔膜（Diaphragm），並於隔膜上用離子佈植法植入硼以製作壓電阻，壓電阻則佈局成惠司通電橋（Wheatstone Bridge）的形式。當在隔膜上施加應力後，因為壓電阻的阻值變化使得平衡狀態遭到破壞，在通入定電壓時，藉由量測輸出電壓的變化就能間接得知施加的壓力，此即微壓力感測器。再者，利用光罩補償與分段蝕刻的方式，於蝕刻隔膜的同時蝕刻液體流動的流道，使液體流動時因作用於隔膜上的動量改變，造成作用於隔膜上壓力的變化，間接量測出液體的流速及流量，製作出動量式微流量感測器。 實驗結果，摻雜量1×13cm-2的壓力感測靈敏度為1.55μV/V-mmHg, TCR=7904 ppm/℃；摻雜量1×14cm-2的壓力感測靈敏度為1.44μV/V-mmHg, TCR=2673ppm/℃。兩者比較後採用摻雜量1×14cm-2者作出流量校正曲線，其流量感測靈敏度對大流量較敏感。