Abstract
本論文是利用矽的細微加工技術(Micromachining Technology)，在(100)n-type的矽基板上，利用薄膜成長、光致印刷法、蝕刻等半導體製程方法製作可產生機械特性和行為的薄膜(Diaphragm)。並利用矽的壓電阻效應（Piezoresistance Effect；導體或半導體材料受到應力作用時，其電阻會發生改變的效應），以擴散法在薄膜的特定區域摻入3族元素硼(Boron)，製作壓阻體，而得到一個可以量測壓力的矽壓電阻薄膜。希望從製程方法與程序中盡量找出薄膜製作的最佳化條件，並且由此薄膜的電性和機性的觀測，對此矽壓阻薄膜的品質與實用性做評估。