Abstract
傳統上是使用RCA Cleaning清洗技術，來滿足ULSI晶圓潔淨的需求，但是其高污染、費時的洗淨製程，已經愈來愈不符合未來時勢所趨。於是本研究計畫利用UV/O3+HF Last的洗淨技術，來取代傳統的RCA清洗製程，以符合未來環保的要求。 由於現在半導體晶圓洗淨方法，主要仍為濕式方法為主，於是本研究是採用濕式的UV/O3+HF清洗方式，與傳統RCA Cleaning 結果做相比較，比較的重點是在低溫（常溫）下金屬的移除效果如何？以及了解對於晶圓其他特性的影響。所以我們又比較不同的洗淨技術，對於MOS電性、晶圓表面微粗糙度、和微粒數等的影響，最後再評估比較UV/O3+HF和RCA Cleaning的可行性和優缺點。 實驗結果發現，低溫UV/O3+HF在晶圓表面金屬的移除上，有比RCA Cleaning更為佳的表現，但像是如銅般高陰電性的金屬雜質，則是較難去除，也許未來可以在UV/O3+HF過程中，加入surfactant，來減低金屬雜質在矽晶圓表面的附著性。另外在表微粗糙度的比較方面，UV/O3+HF洗淨後的晶圓，表面微粗糙度也比RCA法來得小，電性量測結果，也發現有和RCA差不多的電性表現，此外，整個UV/O3+HF的洗淨過程，微粒數也全符合超潔淨的要求；所以，整體而言，我們發現到，低溫濕式的UV/O3+HF洗淨方法，將有潛力成為另一個重要的矽晶圓洗淨技術之一。