Abstract
本文主要目的在探討拉磨過後之四吋矽晶圓以化學機械拋光進行平坦化加工時，時間、溫度、以及拋光劑中參入他種磨粒對拋光後對晶圓拋光之移除率、表面粗度、以及TTV、Bow & Warp、Taper和Rolloff等各表面品質的影響，並以光干涉表面性狀量測儀以及電子顯微鏡觀察拋光前後矽晶圓、磨粒、以及拋光墊的表面變化情形。 實驗結果顯示隨著移除厚度增加，表面粗度值下降，但TTV值跟著增加，而Bow & Warp變化則較不規則，但兩著變化趨勢相近，Taper以及Rolloff的變化則不明顯，較不受移除厚度影響；在適當溫度範圍內，移除率隨著溫度增加而增加，但一旦超過某溫度範圍後移除率不增反減，而TTV值仍繼續隨著溫度增加而增加，Bow & Warp變化則較不規則，但兩著變化趨勢相近，Taper以及Rolloff的變化則不明顯，較不受溫度變動影響；在拋光劑中參入不同磨粒時，氧化鋁磨粒（粒徑3μm）所得之移除率最大，鑽石磨粒次之，但鑽石磨粒卻能得到最小的TTV值，優於加入氧化鋁磨粒拋光所得之結果。以電子顯微鏡觀察發現矽晶圓拉磨後充滿坑洞的表面在拋光後逐漸被剷平；拋光後磨粒尖角變鈍，以及部分發生破碎；拋光墊拋光後表面纖維被拉長。