Abstract
本研究透過簡單的製程，將SiO2與Si3N4的表面鈍化層，鍍覆上電極，做成MIS結構，利用Nicollian與Goetzberger所建立的電導法，來探討介面缺陷濃度以及載子捕捉截面積，藉此研究表面鈍化層的好壞。並比較退火處理前後的差異。 另外，利用高低頻電容-電壓曲線來佐證電導法的正確性，以及用Microwave PCD來討論和有效生命載子週期的關係，並探討著可能產生量測誤差的因素，並給予修正。藉由以上資訊，來估算(1)介面缺陷濃度所造成的表面復合速率，(2)鈍化層固定電荷所造成的場效應影響。