Abstract
本研究欲將合成液侷限於矽晶片上微米級的高深寬比孔洞陣列中，預期兩相酸性系統所合成出的孔洞性二氧化矽纖維會在每個孔洞中有序列地生長。同樣地，也在矽晶片的淺坑陣列及平坦的矽晶片上生長形態均一的二氧化矽，若能在矽晶片上製備週期性規則排列的二氧化矽顆粒，如此可進一步作開發光子晶體的應用研究。實驗上利用電化學蝕刻法、溼式蝕刻法，在矽晶片表面形成微米級的孔洞陣列；實驗結果顯示利用此矽陽極處理膜(具有垂直膜片表面之方形孔洞，邊長約為4mm，深度約為100mm)生長的二氧化矽纖維，並非有序生長。另在倒金字塔孔洞，邊長為2mm的淺坑陣列中，反應液存在於淺坑中的多寡及矽晶片表層氮化矽的厚度，皆會影響二氧化矽的生長形態。在平坦的矽晶面上生長二氧化矽，發現(110)矽晶面表面生長二氧化矽的形態為長條狀，而(111)及(110)晶面上的二氧化矽為圓盤和小山丘狀。