Abstract
本研究係利用TEM 觀察在超高真空系統中所蒸鍍Au/Cu/Si, Ta/Cu/Si兩系統平視, 橫截式試片, 以鑑定其磊晶結構. 並以XRD 輔証TEM 的觀察結果. 另外, 對試片在經退火處理後所產生之相及熱穩定性, 亦作了一番探討.主要成果如下: (1).室溫下電子鎗蒸鍍之 Au/Cu/Si 試片, 在經完全不受熱的TEM 試片製作過程後, 於TEM 下可觀察到類似的磊晶薄膜. 試片在200℃ 退火後, 部份的Cu與Si反應形成η"-Cu3Si 的相. 試片在300 ℃退火後, Au 與Cu 反應形成一個新的相AuCu3. 另外, 還有一些殘餘的η"-Cu3Si存在. 此結果說明, Au/Cu/Si 在300 ℃不穩定. (2).室溫下電子鎗蒸鍍之 Ta/Cu/Si 試片, 經完全不受熱的TEM 試片製作過程後, 在TEM 下觀察發現, Ta並不是單晶的磊晶薄膜. 試片經200 ℃退火後, 部份的Cu 與Si 反應形成η"-Cu3Si . 此結果說明, Ta的存在抑制了η"-Cu3Si 的形成. 試片在300 - 500 ℃退火後, 整層的Cu 與Si 反應, 形成η"-Cu3Si ; 此時, 部份的Ta 反應形成 Ta2O5,而 Ta及 Ta2O5 的薄膜,依舊在η"-Cu3Si 薄膜的上層. 另外,將400 ℃退火過的試片,置放於空氣中五天, 並沒有觀察到η"-Cu3Si有氧化的現象. 這結果說明,Ta可妨止η"-Cu3Si 的氧化.