Abstract
Ｘ光反射率量測法對於薄膜的厚度，表面及界面的粗糙度，以 及薄膜的密度，可精確的量得，而使用能量解析式的方法來作反射 率量測，可以縮短量測的時間，簡化實驗系統，相當適合用於臨場 (in-situ)的實驗。再配合LEED與AES系統，可以補足反射率量測法 所不足的地方。本文主旨在探討能量解析式反射率量測法的應用及 其極限所在。實驗上分別使用X光及白光來量測矽晶片上的氧化層， 然後比較其差異及其極限，實驗結果確定了能量解析式實驗的可行 性。最後希望能藉由LEED/AES系統來對矽晶片表面作研究，希望 能補足反射率量測法的不足之處。 X ray reflectivity is a powerful probe of thin film morphology. It can be used to nondestructively determine the interface and surface roughness,thuckness, and density of the layers. Energy dispersive reflectivity can use on in- situ experiment. It can shorten experiment time,simplify the experiment system. LEED/ AES system can make up a deficiency the reflectivity measure. We use reflectivity and LEED and AES to study SiO2 on Si.