Abstract
二次離子質譜術(SIMS)具有優異的靈敏度與較低的偵測極限，於材料之表面、總體甚至薄膜與界面方面等的分析上均具有廣大的應用潛力。本論文首先探討超臨界流體清洗法於清洗矽晶片表面的研究應用。超臨界流體清洗法同時兼具了濕式與乾式清洗法的優點，為本論文中引用清洗矽晶片表面之新方法。論文中以靜態二次離子質譜術，確認超臨界流體清洗方法可行性，並評估其清洗效率以加速此一方法之開發。除此以外，亦探討添加不同的修飾劑對於提升清洗效率的影響，並利用田口式實驗計畫法，尋找最適化的清洗條件組合，以提升清洗效益。在鑽石薄膜方面以SIMS分析經硼佈植而半導體化的多晶鑽石薄膜，探討其佈植濃度與晶粒大小對壓電阻靈敏度的影響，藉以提供高壓阻靈敏度鑽石薄膜的製備建議。在鈣鈦礦型鐵電陶瓷膜的分析方面除分析陶瓷相的成因與影響因子，並針對克服雜相生成所引入之緩衝層，探討其緩衝效益。此外亦研究製備陶瓷膜時，基板對其上所覆膜，甚至基板本身的影響，另亦探討分析多層膜結構間之擴散行為及其影響因素，利用SIMS圖譜中之量化指標，闡述多層陶瓷膜間的擴散現象。