Abstract
從微觀點的觀點描述矽晶體拉曼散射。並計算在傳導帶及共價帶上晶體動量為零之電子波函數, 此波函數是應用緊密結合(tight binding) 近似法求出的。共振拉曼散射(resonant Raman Scatte-ring)的理論計算在此也作修正, 產生主峰值(main peak)的入射光子能量由3.43eV調整為3.37eV, 這結果與實驗值的3.35eV更為契合。以氬離子雷射為激發源, 觀察矽晶體和Si╱Ag的拉曼散射, 由波矢(wave vector) 為零的光頻聲子 (Optical Phonon) 引發出的拉曼峰值( Paman Peak)其拉曼移動(Paman shift)為520cm 和文獻所提的結果相同。Si╱Ag 拉曼散射強度比祗有Si的情況為弱且與Ag膜的厚度有關, 顯示其是長程序(longrange) 的表面增強拉曼散射(Surface Enhanced)。