Abstract
矽晶是目前電子工業界最重要之半導體材料，而矽烷是製備高純度矽晶之原料。本研究配合國科會推動中之矽烷應用大型計劃，藉感應耦合電子原子發射光譜儀（ICP─AES）與中子活化分析法（NAA） ，建立高純度矽材料中微量元素之系統性分析方法。對於矽晶樣品的分析，本研究藉化學前處理技術及ICP─AES之配合，先將矽基質以H2SiF6揮發去除後，所餘殘渣再行儀器測定。研究中特別就ICP─AES對各元素之最佳偵測條件，從光學系統的校正，ICP 重要參數（如power，observation height，carrier gas，plasma gas等）的變化，及各種干擾因素（如矽基質及酸度）的改變等方面作系列之探討。分析結果的可靠性最後並藉NBS─refine silicon 予以檢驗。對於矽烷之分析，有關其中金屬雜質部份，係將矽烷水解處理後，再藉NAA 作測定。對於非金屬元素如B、A1、As、P等則發展藉添加適當試劑，使其先與上述各元素形成高沸點之錯化合物後，再將矽烷揮發去除，最後將所餘殘渣作ICP─AES測定。實驗結果顯示所建之之方法，可有效地達到樣品的濃縮、及降低欲測元素偵測極限（達≦10-9g/g）之目的。