Abstract
FD SOI MOSFET 比傳統式的SOI MOSFET元件有許多的優勢。現在希望能將元件的尺寸來縮小，以便能在相同面積的chip上，放入更多的元件，這樣可以結省成本，同時能有更強大、更多的功能；但是傳統的元件尺寸縮小到某種程度後，遇到許多的瓶頸，使得縮小後的元件，操作性能變得走樣，所以需要靠其他的方法來改善，然而FD SOI MOSFET所擁有的這些優勢，能解決這些困難，在元件尺寸的縮小上，有許多助益，所以為了在減少許多阻礙元件縮小的物理效應上，而採用FD SOI MOSFET 是一個不錯的解決方法。 矽薄膜厚度(silicon film thickness) 在SOI MOSFET中，是一個重要的因數；當元件月做越小時，越需要先進的製程技術，但是製程的過程中，難免還是會有些誤差，尤其在一些尺寸已經很小的參數上，因為製程上的不理想因數會讓元件的尺寸有誤差，而矽薄膜厚度就是其中的一項。論文藉由理論模型和MEDICI模擬的分析，找出元件幾個基本性質和矽薄膜厚度的關係，藉以看出矽薄膜厚度對SOI MOSFET元件的影響，如臨界電壓在長通道的元件下，會隨著矽薄膜厚度的減少並以空乏常數(Depletion Constant)的斜率下降，但是此斜率會因為SCE或DIBL而變小，同時SCE和DIBL也受到矽薄膜厚度的影響而有所改變。 藉由臨界電壓和矽薄膜厚度的關係發現減少矽薄膜厚度可以降低SCE和DIBL。並且在SCE上，矽薄膜厚度和通道長度之間存在一特定關係。