Abstract
利用大氣中原子力顯微鏡之奈米彫影術（nanolithography）可以製作出氧化結構來，其方法就是在樣品上加上相對於探針為正的偏壓，並移動探針，則探針所到之處便會產生氧化物，這種氧化過程我們稱之為電場導致氧化反應（field-induced oxidation），利用這種氧化反應方式可以製作出極細極薄的氧化結構。本文主要便是要研究此種氧化過程的反應機制，探討在反應過程中離子的擴散情形，與我們外在所控制的條件如樣品所加偏壓大小、探針移動速度大小等的關係。針對不同的表面性質（有無氫鈍化層）來研究其所造成的效應；此外並針對不同的晶面方向，以研究氧化反應受晶面方向的影響。再來，比較單晶（矽）與複晶（氮化鈦）之異同。最後，藉由不同的探針掃描速度，可以探討氧化時間與氧化厚度的關係，與理論模型作一個比較所得的差異，將有助於更進一步修正氧化反應機制。