Abstract
本實驗的目的在於研究鉑矽化合物的光電特性，以作為未來以此肖特基接觸結構的紅外線偵測器的基礎。實驗方法首先用標準清洗步驟將矽晶片清淨後，利用測鍍系統，鍍上鉑後，切成小片，用各種不同溫度和時間加熱退火後，做X 射線繞射分析，得到在攝氏五百五十度，二十分鐘的加熱退火條件下，矽化鉑形成的狀況最好。再以加熱退火後的樣品做對紅外線吸收率的量測，發現在攝氏五百度，時間二十分鐘加熱退火後的樣品對紅外線吸收情況較好。電性測量上，加熱溫度超過六百度以上的樣品，肖特基接觸形成狀況並不穩定且失敗率很高，最好加熱溫度在攝氏五百至五百五十度之間，形成較佳的肖特基接觸。並應注意肖特介面與權品切面隔離，以降低表面漏電流。