Abstract
為了消除離子布植層的欠陷及提高電子活性, 我們使用氙燈來做矽離子布植砷化鎵的退火處理。霍爾效應及穿透式電子顯微鏡被用來對於所使用的氙燈的能量功率, 照射時間及基底溫度的效應做有系統研究。其結果并用來和傳統的熱處理方式做比較。電子活性隨著氙燈的能量功率, 照射時間和基底溫度的增加而增加。但電阻卻是隨著上述效應的增加而減小。在低布植量10 cm 的情形, 使用14w/cm 的氙燈及4 00℃的基底溫度做五分鐘的退火處理后, 電子活性提高達90%。 其結果要比一般的熱處理退火方式要好很多。電子顯微鏡的照片顯示經過氙燈或700–800℃的熱處理退火后, 其晶體欠陷在{111}平面出現很小的Frank 型差排環。然而, 做700–800℃的熱處理退火后再用氙燈退火, 則會有大的差排環, 差排及壘差出現。