Abstract
本論文研究內容，在於成長奈米碳管時所施加的偏壓，計算在基板表面所產生的電場強度，並且了解施加電場強度在成長奈米碳管的影響。施加偏壓的方式一般分為直流偏壓(DC Bias)與射頻偏壓(RF Bias)，直流偏壓可以直接量測其偏壓，進而計算基板上的電場強度；然而施加射頻偏壓無法在成長奈米碳管時及時量測基板表面偏壓，所以必須藉由自製的阻抗量測器(Impedance meter)做為輔助。
- Title
- 研究基板上電場強度與其對成長奈米碳管的影響
- Translated title
- 研究基板上電場強度與其對成長奈米碳管的影響
- Creators
- 魏銘德 (Author)
- Contributors
- 蔡春鴻柳克強 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English