Abstract
本論文的目的有二，其一是以穿膜離子佈植得到淺導電通道，其二是了解穿膜離子佈植的載子分佈。A１N厚度為４５０埃。佈植能量為６０keV、８０keV、１００keV ，佈植量為４e１３㎝、２e１４㎝、穿膜佈植後，我們施以９００°、５秒、１０秒及１５秒的快速退火，同時以８００℃、８５０℃、２０分鐘的傳統退火做為比較。求得高遷移率的淺通道。我們以金鍺合金做為歐姆接觸電極，以Ta金屬矽化物做為蕭基接觸電極。由Ｉ－Ｖ量測判斷所鍍電極的好壞。由Hall效應量測得到霍爾遷移率及片載子濃度。另外由Ｃ－Ｖ量測與differential Hall 量測相配合，以便得到完整的載子濃度的深度分佈情形。最後藉由DLTS，RBS 及photoreflectance（△R╱R）分析其表面狀態，討論電性差異。霍爾量測結果得到最高的霍爾遷移率有２８００㎝╱s˙V。由RBS 分析得到，蕭基二極體其理想因子（ideality factor）n隨著Ga，As向外擴散（outdiffusion）增加而增力，位障（barrier height）值隨polycrystal 形成而降低。由photoreflectance分析得到霍爾遷移率隨中的x 值增加而減小。由DLTS分析得Ga－vacancy 的深態能階，印證RBS 的說法。在穿膜離子佈植以AIN 在GaAs上而言，以數值化範圍轉換模型最為看好。