Abstract
本計畫為配合國內半導體材料的研究發展，試圖建立砷化鎵組成成分及微量雜質元素的分析方法，期能由所建立化學分析技術的支援，提供該材料製造及物性的研究發展。對於組成成分的分析，過去一年全力發展電化學分析技術，探討其對砷及鎵準確分析的可行性。結果顯示所建之的定電流電量分析法，可以達到半導體材料所需求的精密及高準確的分析目標；砷及鎵分析的準確度分別可達-0.10％及-0.20％，並巳具有實際應用於樣品分析的可行性。對於微量雜質的分析，本研究利用化學前處理方法先將Ga及Aa基質去除後，再藉感應耦合電子原子發射光譜分析儀（ICP─AES）作樣品溶液中Cu、Mg及Ca等微量元素的測定。為期降低偵測極限，本研究藉助超微量分析的技術與設備，設法儘量避免或減少污染因素的導入，以降低分析的空白值。結果顯示對GaAa中Cu、Mg及Ca的偵測極限分別可達7.1ppb、14.5ppb及61.1ppb，大致巳能符合材料分析的需求。