Abstract
本篇文章是對弧光燈照在經過離子佈植後的砷化鎵所產生的退火效果，和呻化鎵的保護絕緣膜的特性，和利用旋轉方式所得鋅在砷化鎵中的擴散研究。由於離子佈植後所造成的缺陷，經由橢光儀測試結果發覺雖經弧光照射產生退火效果，但並不能使缺陷完全恢復，但由表面電阻值測試發覺當弧光在晶片上所生之能量密度增加時，表面電阻有下降趨勢，且低量離子佈植的晶片有完全恢復的可能，當晶片受到弧光照射而產生熔解現象發覺實驗與理論值甚為相符。用旋轉方式在表面覆蓋一層絕膜和用電子束方式所蒸鍍一層氧化矽被用來研究其覆蓋後之保護特性，實驗發覺用電子束所蒸鍍的氧化矽其效果較好，在高溫處理中，具有保護作用。三層擴散之模式之建立，用以膫解在砷化鎵中的擴散特性，實驗證實與電腦模擬擴散模式所得之結果一致。