Abstract
本論文的工作在於對砷化鎵量子位能井內的激子束縛能，作一理論性的探討．井內的電子和電子洞，係採用有效質量近似法計算．當作為位能障的ＡｌxＧａ1-xＡｓ半導體，其合金成份比例Ｘ，在０．１到０．４５之間，合金的能帶結構仍為直接型，有效質量近似法已知為優良的近似法．束縛能的計算用的是微擾及變分兼併法，這種方法使計算變為程序化，結果的可靠性也能夠加以評估．我們分析了井深為有限和無限的兩種模型，以及束縛能對於合金成份的變化，把結果與現有之理論及實驗資料加以比較，發現十分良好．
- Title
- 砷化鎵量子井內之激子束縛能
- Translated title
- 砷化鎵量子井內之激子束縛能
- Creators
- 江進福 (Author)
- Contributors
- 單越 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English