Abstract
砷化鎵金屬一半導體場效電晶體。可用在低雜訊放大，高效率功率放大及高速邏輯路上，這些是微波系統的主要需求。而場效電晶體的直流參數，又是決定這些放大器好壞的標準。所以此篇論文的主要研究目的是製造一個場效電晶體元件，然後研究直流參數對元件行為的影響，並對此影響提出在元件製造技術的改進方法。本論文以離子佈植技術成長作用層（active layer），然後利用移離法（Lift－off）製造砷化鎵肖特基閘極場效電晶體，再用曲線追縱器（curve tracer）作電流一電特性曲線量測，用LCR meter 作電容一電壓關係的量測，而操作頻率是在一百萬赫茲。再由這些量測結果，來分析元件的直流參數。在量測結果計算中，源極的寄生電阻值，會影響觀察到的跨導大小，而跨導大小又是決定元件操作頻率的重要因素，其相關性將在論文內討論。我們製作的元件在閘極電壓為零時，其跨導為２•４２mS。以矽離子植入砷化鎵晶片後，再以不同退火溫度來活化離子，並作雜訊量測，都將在論文內討論。