Abstract
砷化鎵銦的半導體材料具有吸收０•９３?１•６５微米波長的能力，也正涵蓋了光纖通訊上損耗最少的１•５５微米波長，在光纖通訊上極具應用價值，並且PIN 偵測器的結構有積體化的潛力，因此在其他應用上也備受矚目。此外，液相磊晶系統，在經濟效益與成長條件上均具有其優點，因此在半導體製程上有重要地位。在本論文中，我們分析了PIN 偵測器的各項參數顯響元件的功能，及預測元件特性，並找出在固定載子濃度下的最佳化設計。在製程上，液相磊晶的系統、磊晶層的成長方法、成長速率以及材料純化的技術均有詳細的探討。在實驗結果方面，我們找出了成長速率的關係並且與理論驗證相合，X－Ray Diffraction分析顯示晶格十分匹配，PL與FTIR證實了低溫與室溫下能隙與理論值相符，AES 確定了成長方面上的均勻度，在C－V量測上證實了本實驗室的製程能力可達到１０15?１０16每立方公司的載子濃度。在元件上測量顯示，光偵測器的範圍在１•１?１•６６微米波長，暗雷流小於６４微安培每平方公分，而光電流可達到０•３安培每平方公分，而光吸收層的載子濃度在１０15?１０16每立方公分，可證實為一高效率的偵測器。