Abstract
砷化鎵銦與磷化銦基板間存有良好晶格匹配，且具有在光纖通訊上最少損耗的１•５５微米波長，因此在光纖通訊上有極大的應用價值。液相磊晶法的成長系統，成長速率快，生產條件容易控制，並且經濟、系統簡單，十分適合實驗室要求。我們選擇６０５℃的過冷降溫技巧作為成長條件。在測量、分析方面：X －光繞射分析顯示，晶格常數十分匹配；FTIR證明了室溫下能隙為０•７４eV；PL顯示低溫能隙為０•７９８eV；AES 證明磊晶層的組成極穩定；C－V量出雜質分佈十分均勻；SEM 剖面觀察顯示磊晶層十分平整均勻。最後，光電晶體也研製成功，其偵測特性可由I－V特性曲線看出來。