Abstract
為了解吸附處理的情形，我們以高劑量的AS佈植來了解熱處理時GaAs的再成長，以高劑量的Ne佈植來研究熱處理時GaAs的再成長與吸附效應。我們由Hall及微分Hall來了解吸附處理時在電性方面的影響；由PL，DLTS分析來探討吸附處理時抓取層內缺陷及空位的變化；由Auqer 表面分析來探討抓取層內組成元素的變化。由實驗得知As高劑量佈植於GaAs，所產生的非晶形破壞，在700?750℃，1-4hr 熱處理後，破壞的區域尚未完全回復，並有錯位AsGa及空位VGa 存在，將As佈植於半絕緣GaAs，其晶片形態改變，變成Ｐ形式（type）。Ne，As佈植熱處理後，在表面附近電性有很大的變化。