Abstract
多層金屬膜Ni╱In╱Ni用電子鎗蒸渡在GaAs上，以不同的退火條件８００℃－９００℃，２秒到１６秒退火之，得到最低特性電阻specific contanct resistance為１．７７×１０□□Ω－ｃ㎡。在此歐姆接觸形成後加熱至４００℃，５個小時後，特性電阻值沒有明顯改變。特性電阻值是用４點探針法量測，並以XRD，AES 分析面結構。因其介面存在In－Ni，Ga－Ni的化合物及InAs，所以有二點結論：（１）In，GaAs反應造成異質接面歐姆接觸（heterojunction ohmic contacts）（２）適當的In與Ni反應，在８００℃以上形成高熔點的Ni－In化合物，結果介面的結構，不再隨熱（４００℃）而改變，造成Ni╱In歐姆接觸的熱穩定性。