Abstract
以液相磊晶法在InP 基片上成長高純度ＩｎxＧａ1-xＡｓyＰy磊晶層，由於基片內的磷極易揮發損失。因此，如何保護基片表層，使磷不致喪失乃成為製作高品質元件不可或缺之步驟。在本研究工作內，我們比較了六種不同保護InP 表面的方法。而後用掃描式電子顯微鏡（SEM ）觀察基片之表面形態，用Van der Pauw霍爾測試法測量保護後基片的電學特性，發現最好的保護方面是將基片放在過飽和磷含量的Sn－InP 溶液之下，同時用石墨蓋蓋子蓋在溶液上。ＩｎxＧａ1-xＡｓ1-yＰy之磊晶層以液相磊晶法成長在保護後的基片上，利用改變溶液的成份組成與磊晶溫度，可將磊晶層的能隙調整到適當值以涵蓋光纖通訊所用最低傳輸損失波長：１•５５um。由X －光繞射法分析知道四元磊晶層及基片間的晶格誤差為０•３％。並用SEM 觀察其表面形態。用富氏轉換紅外光譜儀（FTIR）測其穿透光譜，分析換算其能隙寬度。本研究亦利各單層磊晶之結果試製雙異質接合面p－i－n 光電偵測器，其中i 層之雜質濃度約為１?２×１０^17 cm^-3 ，崩潰電壓約為２•８V ，如何增進規格將在文中做 詳細討論。本元件作頻譜響應分析（Spectral response ），其對光源波長的偵測範圍為：０•９μm ?１•６μm 。