Abstract
銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池是目前所有薄膜型太陽能電池中最有潛力且效率高的一種電池。在CIGS太陽能電池中，通常以硫化鎘來當作電池的緩衝層，但因為鎘為一對環境及人體有嚴重傷害的物質，因此目前許多研究單位都致力於尋找一非鎘材料來取代CdS的位置，而目前在所有已開發的材料中，又以硫化鋅及硫化銦薄膜所做成的緩衝層效率最高。但許多文獻皆指出，利用硫化鋅薄膜做為緩衝層，其元件常有一嚴重的Light soaking效應，而此一現象也被廣泛探討；但在硫化銦薄膜元件方面，其元件是否有嚴重的light soaking的效應卻沒有一個論定，此外，對此元件的缺陷探討也沒有一個確切的定論。因此，在此篇論文中，首先會先探討硫化銦薄膜的基本特性，而後探討應用在CIGS上時其元件上的表現而後就其Light soaking和annealing前後的情況來探討元件的缺陷所在。最後，當我們對ZnS和In2S3- based buffer元件都有一了解後，我們利用一簡單快速的方法，可以大幅改善在ZnS-based buffer元件中嚴重Light soaking的現象。