Abstract
相變化記憶體(Phase change memory)是一種逐漸受到重視，且目前有相當多單位投入研究的新世代記憶體，它具有高速存取以及非揮發性的兩項重要特點，及其他如非破壞讀取、消耗電流低、多階儲存、單位記憶容量大及製作成本低等優點。 本研究以SiO2/Si為基板鍍製Ge2Sb2Te5(1000Å)單層膜及TiW(1000Å)/Ge2Sb2Te5(1000Å)雙層膜，Ge2Sb2Te5單層膜初鍍時的應力約為零，但在雙層膜內的TiW膜初鍍時卻有約400 ~ 1000(Mpa)的壓應力，TiW膜內相對較大的壓應力，可能與TiW靶材內的W原子反彈較多的Ar原子撞擊TiW膜有關。前述單層膜及雙層膜試片於初鍍時的附著力分別為100.9nt及8.2nt，在230℃（或400℃）快速熱退火處理後附著力會分別減小及增加到41.9（或22.1nt）及18.9（或24.1nt），雙層膜內的TiW膜的應力並會減小。Energy Dispersive Spectrometer (EDS)結果顯示所有試片皆由Ge2Sb2Te5/SiO2的界面斷裂，而由Secondary Ion Mass Spectrometer (SIMS)縱剖面觀察發現各膜層間原子會互相擴散，這可能增加TiW/Ge2Sb2Te5界面間的附著力，使得斷裂易發生在Ge2Sb2Te5/SiO2界面，此外，薄膜附著力與應力明顯相關。