Abstract
相變化型記憶體(簡稱C-RAM 或OUM)是一種近幾年才逐漸受到重視並進行研究的新型記憶體元件，擁有相當快速的programming time、工作電壓小、覆寫次數大於1013次、工作的溫度範圍可從mil.~std.等眾多優點。本研究以直流磁控濺鍍法鍍製Ge2Sb2Te5薄膜;藉由X-RAY分析晶相的形成，發現隨著熱處理溫度的升高薄膜結構由介穩態的f.c.c.結構轉變成穩定的Hexagonal結構;藉由四點探針儀器之量測，可發現非晶相與結晶相的電阻值差異可達到7個order以上;藉由DSC與溫度-電阻的實驗可發現Ge2Sb2Te5薄膜結晶溫度位在150~180℃之間; Ge2Sb2Te5薄膜的結晶活化能約為2.11 eV。在Sandwich結構的製作上，本研究以直流磁控濺鍍法鍍製各個膜層，並利用微影技術製作所期望的元件結構;在電性量測上，當上下電極兩端的電壓大於門檻電壓Vth時，Sandwich結構則由高電阻值的狀態轉變成低電阻狀態，對電壓源而言門檻電壓Vth值介於1~2V，對電流源而言門檻電壓Vth值介於0.4~0.6V。