Abstract
本研究第一部分為探討臨界轉換材料與相變化記憶胞串聯的電路行為及其電阻匹配問題並評估臨界轉換材料應用於開關元件的可能性。若臨界轉換材料臨界電壓（Vth2）、臨界電流（Ith2）皆大於記憶轉換材料臨界電壓（Vth1）、臨界電流（Ith1）情況下，當兩者串聯電路電流為Ith1時記憶轉換材料的壓降為Vth1、臨界轉換材料的壓降為VA。研究後發現在材料參數符合Vth2大於Vth1＋VA下，臨界轉換材料將可以作為開關元件，在電壓源驅動模式下來控制記憶轉換材料結晶化，非晶化。 第二部分是利用反應性射頻磁控濺鍍在不同氮氣流量下鍍製Ge2Sb2Te5相變化記憶薄膜，觀察氮原子摻雜對電性的影響。根據本實驗室過去研究發現氮原子濃度為8.8~14.9at.％，在250及400℃皆生成F.C.C相適合用於單階儲存式相變化記憶體。在此濃度範圍Ge2Sb2Te5薄膜電阻率不論是初鍍膜、退火後皆較未摻雜的大，所以在電流源驅動下能減少結晶化、非晶化電流。另外我們認為平行電極方式是比較適合量測初鍍膜電阻率而退火產生相變化後的薄膜電阻率則適合利用四點探針來量側。